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      絕緣柵型場效應管 ( Metal Oxide Semiconductor FET),簡稱MOSFET。分為:
      增強型 : N溝道、P溝道 耗盡型: N溝道、P溝道


      N溝道增強型MOS管
      結構:4個電極:漏極D、源極S、柵極G、襯底B。
      工作原理:
      當uGS=0V時,漏源之間相當兩個背靠背的 二極管,在d、s之間加上電壓也不會形成電流,即管子截止。
      當uGS>0V時→縱向電場→將靠近柵極下方的空穴向下排斥→耗盡層。
      繼續增加uGS→縱向電場↑→將P區少子電子聚集到P區表面→形成導電溝道,如果此時加有漏源電壓,就可以形成漏極電流id。
      N溝道增強型MOS管的基本特性:
      uGS < UT,管子截止,
      uGS >UT,管子導通。
      uGS 越大,溝道越寬,在相同的漏源電壓uDS作用下,漏極電流ID越大。

      N溝道增強型MOS管
      轉移特性曲線:iD=f(uGS)?uDS=const
      可根據輸出特性曲線作出移特性曲線。

      N溝道增強型MOS管
      跨導gm:
      gm=?iD/?uGS? uDS=const (單位ms)
      gm的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用。
      在轉移特性曲線上,gm為的曲線的斜率。
      在輸出特性曲線上也可求出gm。

      N溝道耗盡型MOSFET
      在柵極下方的SiO2層中摻入了大量的金屬正離子。所以當uGS=0時,這些正離子已經感應出反型層,形成了溝道。
      工作原理
      當uGS=0時,就有溝道,加入uDS,就有iD。
      當uGS>0時,溝道增寬,iD進一步增加。
      當uGS<0時,溝道變窄,iD減小。
      定義
      夾斷電壓( UP)——溝道剛剛消失所需的柵源電壓uGS。
      P溝道耗盡型MOSFET

      P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同,只不過導電的載流子不同,供電電壓極性不同而已。這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣。
      MOS管的主要參數
     ?。?)開啟電壓UT
     ?。?)夾斷電壓UP
     ?。?)跨導gm:gm=?iD/?uGS? uDS=const
     ?。?)直流輸入電阻RGS ——柵源間的等效電阻。由于MOS管柵源間有SiO2絕緣層,輸入電阻可達109~1015

      Trench-MOS

      2.MOS應用

      開關作用
      隔離作用
      為實現線路上電流的單向流通,比如之讓電流由A--->B,阻止電流由B--->A,可以有以下兩種方法
      方法2
      方法1
      使用MOS管做隔離,在正向導通時,在控制端加適當的電壓,可以讓MOS管飽和導通,此時導通壓降幾乎為0,故在實際電路中經常使用MOS做隔離。